Une technique mesurant l'angle et l'énergie des électrons émis pour cartographier la structure électronique d'un matériau.La spectroscopie de photoémission résolue en angle (ARPES) est une technique utilisée pour mesurer directement la structure électronique des matériaux. En éclairant un échantillon avec une lumière de haute énergie (généralement ultraviolette ou rayons X), des électrons sont éjectés par effet photoélectrique. La mesure de l'énergie cinétique et de l'angle d'émission de ces électrons révèle l'énergie et la quantité de mouvement des électrons à l'intérieur du matériau, fournissant ainsi une carte détaillée de sa structure de bandes. Cela est crucial pour comprendre les propriétés des métaux, des semi-conducteurs et des matériaux quantiques exotiques comme les supraconducteurs à haute température.
L'ARPES a été développée dans les années 1970, s'appuyant sur l'effet photoélectrique expliqué par Einstein en 1905. Les premières expériences utilisaient des lampes ultraviolettes de laboratoire, mais la technique a considérablement progressé avec les sources de lumière synchrotron, qui fournissent un rayonnement accordable et de haute intensité.
Dans l'ARPES, un photon d'énergie connue frappe l'échantillon, transférant son énergie à un électron. L'électron s'échappe s'il gagne suffisamment d'énergie pour surmonter le travail de sortie du matériau. En mesurant l'énergie cinétique de l'électron et son angle par rapport à la surface, on peut calculer son énergie de liaison et sa quantité de mouvement cristalline avant l'émission. L'intensité des électrons émis à chaque énergie et quantité de mouvement reflète directement la probabilité de trouver un électron dans cet état, donnant ainsi la dispersion des bandes.
L'ARPES est utilisée en physique de la matière condensée pour étudier les supraconducteurs, les isolants topologiques et le graphène, aidant les chercheurs à concevoir de nouveaux dispositifs électroniques et à comprendre les phénomènes quantiques.
L'ARPES peut détecter le « coude » dans la dispersion électronique causé par le couplage électron-phonon, une caractéristique subtile qui révèle comment les vibrations du réseau cristallin influencent le comportement des électrons.
















